CVE-2021-42114

Los dispositivos DRAM modernos (PC-DDR4, LPDDR4X) están afectados por una vulnerabilidad en su mitigación interna Target Row Refresh (TRR) contra los ataques Rowhammer. Los nuevos patrones de acceso Rowhammer no uniformes, que consisten en agresores con diferentes frecuencias, fases y amplitudes, permiten desencadenar cambios de bits en los módulos de memoria afectados usando nuestro fuzzer Blacksmith. Los patrones generados por Blacksmith fueron capaces de desencadenar cambios de bits en los 40 dispositivos DRAM PC-DDR4 de nuestro grupo de pruebas, que cubren los tres principales fabricantes de DRAM: Samsung, SK Hynix y Micron. Esto significa que, incluso cuando son usados chips anunciados como libres de Rowhammer, los atacantes pueden seguir siendo capaces de explotar Rowhammer. Por ejemplo, esto permite realizar ataques de escalada de privilegios contra el kernel o los binarios como el binario sudo, y también desencadenar cambio de bits en las claves RSA-2048 (por ejemplo, las claves SSH) para conseguir acceso a máquinas virtuales de otros usuarios. Podemos confirmar que los dispositivos DRAM adquiridos en julio de 2020 con chips DRAM de los tres principales proveedores de DRAM (Samsung, SK Hynix, Micron) están afectados por esta vulnerabilidad. Para más detalles, consulte nuestra publicación